IRLML6402GTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRLML6402GTRPBF | IRLML6402GTRPBF Inventory, Best Pricing

IRLML6402GTRPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRLML6402GTRPBF
LIXINC Part #	IRLML6402GTRPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRLML6402GTRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRLML6402GTRPBF Технические характеристики

номер части:	IRLML6402GTRPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Discontinued at Digi-Key
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.7A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 3.7A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	633 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.3W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	Micro3™/SOT-23
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015