IRF6712STR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF6712STR1PBF | IRF6712STR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF6712STR1PBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRF6712STR1PBF
LIXINC Part #	IRF6712STR1PBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRF6712STR1PBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRF6712STR1PBF Технические характеристики

номер части:	IRF6712STR1PBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	17A (Ta), 68A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.9mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.4V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1570 pF @ 13 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.2W (Ta), 36W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DIRECTFET™ SQ
упаковка / чехол:	DirectFET™ Isometric SQ

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015