Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

SPI07N65C3HKSA1

SPI07N65C3HKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части SPI07N65C3HKSA1
LIXINC Part # SPI07N65C3HKSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SPI07N65C3HKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPI07N65C3HKSA1 Технические характеристики

номер части:SPI07N65C3HKSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7.3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.9V @ 350µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:790 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):83W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO262-3-1
упаковка / чехол:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SPI07N65C3HKSA1 Документы

if SPI07N65C3HKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIR408DP-T1-GE3 SIR408DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 913

Подробнее о заказе
SIA411DJ-T1-E3 SIA411DJ-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 932

Подробнее о заказе
RSS070N05TB1 RSS070N05TB1 MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP 988

Подробнее о заказе
AO4708 AO4708 MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 963

Подробнее о заказе
STD6NM60N STD6NM60N MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK 978

Подробнее о заказе
FQD3P20TF FQD3P20TF MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK 823

Подробнее о заказе
PMV90EN,215 PMV90EN,215 MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB 945

Подробнее о заказе
IXFN340N07 IXFN340N07 MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B 863

Подробнее о заказе
AOC2413 AOC2413 MOSFET P-CH 8V 3.5A 4ALPHADFN 891

Подробнее о заказе
IRFBC30AL IRFBC30AL MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK 995

Подробнее о заказе
PMF400UN,115 PMF400UN,115 MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323-3 805

Подробнее о заказе
FQA7N90M FQA7N90M MOSFET N-CH 900V 7A TO3P 867

Подробнее о заказе
IXFX90N30 IXFX90N30 MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247-3 852

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10901 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top