Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IRF7807VD2PBF

IRF7807VD2PBF
Увеличить

Только для справки

номер части IRF7807VD2PBF
LIXINC Part # IRF7807VD2PBF
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IRF7807VD2PBF След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF7807VD2PBF Технические характеристики

номер части:IRF7807VD2PBF
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:FETKY™
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:8.3A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V
rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:-
Фет-функция:Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-SO
упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7807VD2PBF Документы

if IRF7807VD2PBF PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SPI11N65C3XKSA1 SPI11N65C3XKSA1 MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3 840

Подробнее о заказе
NTMFD4C50NT3G NTMFD4C50NT3G MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL 809

Подробнее о заказе
2SJ438,Q(J 2SJ438,Q(J MOSFET P-CH TO220NIS 801

Подробнее о заказе
IRFZ46NL IRFZ46NL MOSFET N-CH 55V 53A TO262 831

Подробнее о заказе
NVMFS5C442NWFT1G NVMFS5C442NWFT1G MOSFET N-CH 40V 5DFN 982

Подробнее о заказе
IRLU8721-701PBF IRLU8721-701PBF MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK 980

Подробнее о заказе
IRF2804STRL IRF2804STRL MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 820

Подробнее о заказе
BSF050N03LQ3GXUMA1 BSF050N03LQ3GXUMA1 MOSFET N-CH 30V 15A/60A 2WDSON 957

Подробнее о заказе
BSS127 E6327 BSS127 E6327 MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 969

Подробнее о заказе
BUK9GTHP-55PJTR,51 BUK9GTHP-55PJTR,51 MOSFET N-CH 55V 28SO 987

Подробнее о заказе
TPCC8002-H(TE12L,Q TPCC8002-H(TE12L,Q MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON 999

Подробнее о заказе
SPB42N03S2L-13 G SPB42N03S2L-13 G MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3 882

Подробнее о заказе
IRF1324SPBF IRF1324SPBF MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK 990

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10847 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top