EPC2012 | EPC EPC2012 | EPC2012 Inventory, Best Pricing

EPC2012

Увеличить

Только для справки

номер части	EPC2012
LIXINC Part #	EPC2012
Производитель	EPC
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	GANFET N-CH 200V 3A DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	EPC2012 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

EPC2012 Технические характеристики

номер части:	EPC2012
Бренд:	EPC
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	EPC
ряд:	eGaN®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Discontinued at Digi-Key
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	5V
rds on (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	1.8 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	+6V, -5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	145 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 125°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	Die
упаковка / чехол:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015