Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSS169L6327HTSA1

BSS169L6327HTSA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSS169L6327HTSA1
LIXINC Part # BSS169L6327HTSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSS169L6327HTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSS169L6327HTSA1 Технические характеристики

номер части:BSS169L6327HTSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:SIPMOS®
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:170mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):0V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:1.8V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:2.8 nC @ 7 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:68 pF @ 25 V
Фет-функция:Depletion Mode
рассеиваемая мощность (макс.):360mW (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:SOT-23-3
упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS169L6327HTSA1 Документы

if BSS169L6327HTSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

VS-FB190SA10 VS-FB190SA10 MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 812

Подробнее о заказе
IPD90N06S4L06ATMA1 IPD90N06S4L06ATMA1 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 838

Подробнее о заказе
SI1400DL-T1-GE3 SI1400DL-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6 828

Подробнее о заказе
FCD5N60TF FCD5N60TF MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK 825

Подробнее о заказе
FQD13N10LTM_NBEL001 FQD13N10LTM_NBEL001 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 848

Подробнее о заказе
DMJ70H1D3SH3 DMJ70H1D3SH3 MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 933

Подробнее о заказе
AOC2423 AOC2423 MOSFET P-CH 20V 2A 4ALPHADFN 890

Подробнее о заказе
BTS282Z E3230 BTS282Z E3230 MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 989

Подробнее о заказе
IRFR9110TRL IRFR9110TRL MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 853

Подробнее о заказе
HAT2168HWS-E HAT2168HWS-E MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK 869

Подробнее о заказе
SI5406CDC-T1-GE3 SI5406CDC-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8 824

Подробнее о заказе
IRFR010TRR IRFR010TRR MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK 926

Подробнее о заказе
BUK9635-55,118 BUK9635-55,118 MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK 933

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10905 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top