HN4K03JUTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN4K03JUTE85LF

HN4K03JUTE85LF

Увеличить

Только для справки

номер части	HN4K03JUTE85LF
LIXINC Part #	HN4K03JUTE85LF
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 20V 100MA USV
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HN4K03JUTE85LF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HN4K03JUTE85LF Технические характеристики

номер части:	HN4K03JUTE85LF
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	100mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V
rds on (max) @ id, vgs:	12Ohm @ 10mA, 2.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	8.5 pF @ 3 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	200mW (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	USV
упаковка / чехол:	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015