IRFI9Z24N | IR (Infineon Technologies) IRFI9Z24N | IRFI9Z24N Inventory, Best Pricing

IRFI9Z24N

Увеличить

Только для справки

номер части	IRFI9Z24N
LIXINC Part #	IRFI9Z24N
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 55V 9.5A TO220AB FP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRFI9Z24N След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRFI9Z24N Технические характеристики

номер части:	IRFI9Z24N
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	29W (Tc)
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220AB Full-Pak
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015