Только для справки
| номер части | IPB80N06S2L09ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB80N06S2L09ATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB80N06S2L09ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB80N06S2L09ATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Discontinued at Digi-Key |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 55 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 80A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 8.2mOhm @ 52A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 125µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 105 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2620 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 190W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SCH1331-TL-W | MOSFET P-CH 12V 3A SOT563/SCH6 | 987 Подробнее о заказе |
|
| IXFP8N65X2M | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | 909 Подробнее о заказе |
|
| AON2701L#A | MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN | 933 Подробнее о заказе |
|
| SPI100N03S2-03 | MOSFET N-CH 30V 100A TO262-3 | 967 Подробнее о заказе |
|
| IPI80N06S2L05AKSA1 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 932 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N06S3L-06 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 937 Подробнее о заказе |
|
| STS9P2UH7 | MOSFET P-CH 20V 9A 8SO | 926 Подробнее о заказе |
|
| TPC6109-H(TE85L,FM | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 | 991 Подробнее о заказе |
|
| AON1611 | MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN | 953 Подробнее о заказе |
|
| SPN02N60C3 | MOSFET N-CH 650V 400MA SOT223-4 | 928 Подробнее о заказе |
|
| AOTF404 | MOSFET N-CH 105V 5.8/26A TO220FL | 946 Подробнее о заказе |
|
| STP10NK50Z | MOSFET N-CH 500V 9A TO220AB | 919 Подробнее о заказе |
|
| IPF10N03LA G | MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3 | 983 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10881 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.