NP80N06PLG-E1B-AY | Renesas Electronics America NP80N06PLG-E1B-AY | NP80N06PLG-E1B-AY Inventory, Best Pricing

NP80N06PLG-E1B-AY

Увеличить

Только для справки

номер части	NP80N06PLG-E1B-AY
LIXINC Part #	NP80N06PLG-E1B-AY
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 80A TO263
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NP80N06PLG-E1B-AY След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NP80N06PLG-E1B-AY Технические характеристики

номер части:	NP80N06PLG-E1B-AY
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	8.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	128 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	6900 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.8W (Ta), 115W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015