NTGD3147FT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTGD3147FT1G

NTGD3147FT1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NTGD3147FT1G
LIXINC Part #	NTGD3147FT1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTGD3147FT1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTGD3147FT1G Технические характеристики

номер части:	NTGD3147FT1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2.2A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	145mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	5.5 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	400 pF @ 10 V
Фет-функция:	Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):	1W (Ta)
Рабочая Температура:	-25°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-TSOP
упаковка / чехол:	SOT-23-6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015