Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD082N10N3GBTMA1

IPD082N10N3GBTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD082N10N3GBTMA1
LIXINC Part # IPD082N10N3GBTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD082N10N3GBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD082N10N3GBTMA1 Технические характеристики

номер части:IPD082N10N3GBTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 75µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3980 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):125W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD082N10N3GBTMA1 Документы

if IPD082N10N3GBTMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BUK9528-55A,127 BUK9528-55A,127 MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB 857

Подробнее о заказе
BSH111,235 BSH111,235 MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB 827

Подробнее о заказе
SI4446DY-T1-GE3 SI4446DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO 939

Подробнее о заказе
IRF3711L IRF3711L MOSFET N-CH 20V 110A TO262 984

Подробнее о заказе
SIA426DJ-T1-GE3 SIA426DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6 887

Подробнее о заказе
IXFK180N10 IXFK180N10 MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA 853

Подробнее о заказе
RSS120N03TB RSS120N03TB MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP 866

Подробнее о заказе
RJK4518DPK-00#T0 RJK4518DPK-00#T0 MOSFET N-CH 450V 39A TO3P 1000

Подробнее о заказе
IPD16CNE8N G IPD16CNE8N G MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3 934

Подробнее о заказе
IXTC36P15P IXTC36P15P MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220 854

Подробнее о заказе
IRFR220NTR IRFR220NTR MOSFET N-CH 200V 5A DPAK 938

Подробнее о заказе
SI4654DY-T1-GE3 SI4654DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 28.6A 8SO 885

Подробнее о заказе
IRLR7807ZTR IRLR7807ZTR MOSFET N-CH 30V 43A DPAK 818

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10971 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top