GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 | GA100JT12-227 Inventory, Best Pricing

GA100JT12-227

Увеличить

Только для справки

номер части	GA100JT12-227
LIXINC Part #	GA100JT12-227
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	GA100JT12-227 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

GA100JT12-227 Технические характеристики

номер части:	GA100JT12-227
Бренд:	GeneSiC Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	GeneSiC Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	-
технологии:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	160A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 100A
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	14400 pF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	535W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-227
упаковка / чехол:	SOT-227-4, miniBLOC

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015