MJ11030G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJ11030G

MJ11030G

Увеличить

Только для справки

номер части	MJ11030G
LIXINC Part #	MJ11030G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MJ11030G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MJ11030G Технические характеристики

номер части:	MJ11030G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN - Darlington
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	90 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	3.5V @ 500mA, 50A
ток - отсечка коллектора (макс.):	2mA
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	1000 @ 25A, 5V
мощность - макс.:	300 W
частота - переход:	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 200°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-204AE
пакет устройств поставщика:	TO-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015