IS43DR86400E-3DBL | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS43DR86400E-3DBL | IS43DR86400E-3DBL Inventory, Best Pricing

IS43DR86400E-3DBL

Увеличить

Только для справки

номер части	IS43DR86400E-3DBL
LIXINC Part #	IS43DR86400E-3DBL
Производитель	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IS43DR86400E-3DBL След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IS43DR86400E-3DBL Технические характеристики

номер части:	IS43DR86400E-3DBL
Бренд:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	DRAM
технологии:	SDRAM - DDR2
объем памяти:	512Mb (64M x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	333 MHz
время цикла записи - слово, страница:	15ns
время доступа:	450 ns
напряжение - питание:	1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура:	0°C ~ 85°C (TC)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	60-TFBGA
пакет устройств поставщика:	60-TWBGA (8x10.5)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015