CY7C1312KV18-300BZC | Rochester Electronics CY7C1312KV18-300BZC | CY7C1312KV18-300BZC Inventory, Best Pricing

CY7C1312KV18-300BZC

Увеличить

Только для справки

номер части	CY7C1312KV18-300BZC
LIXINC Part #	CY7C1312KV18-300BZC
Производитель	Rochester Electronics
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	QDR SRAM, 1MX18, 0.45NS, CMOS, P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CY7C1312KV18-300BZC След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CY7C1312KV18-300BZC Технические характеристики

номер части:	CY7C1312KV18-300BZC
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	SRAM
технологии:	SRAM - Synchronous, QDR II
объем памяти:	18Mb (1M x 18)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	300 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	165-LBGA
пакет устройств поставщика:	165-FBGA (13x15)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$29.76000	$29.76

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015