BR25G512FVT-3GE2 | ROHM Semiconductor BR25G512FVT-3GE2 | BR25G512FVT-3GE2 Inventory, Best Pricing

BR25G512FVT-3GE2

Увеличить

Только для справки

номер части	BR25G512FVT-3GE2
LIXINC Part #	BR25G512FVT-3GE2
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BR25G512FVT-3GE2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BR25G512FVT-3GE2 Технические характеристики

номер части:	BR25G512FVT-3GE2
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	EEPROM
технологии:	EEPROM
объем памяти:	512Kb (64K x 8)
интерфейс памяти:	SPI
тактовая частота:	10 MHz
время цикла записи - слово, страница:	5ms
время доступа:	-
напряжение - питание:	1.8V ~ 5.5V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-TSSOP-B

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015