DF200R12W1H3B27BOMA1 | IR (Infineon Technologies) DF200R12W1H3B27BOMA1 | DF200R12W1H3B27BOMA1 Inventory, Best Pricing

DF200R12W1H3B27BOMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	DF200R12W1H3B27BOMA1
LIXINC Part #	DF200R12W1H3B27BOMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 1200V 30A 375W
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DF200R12W1H3B27BOMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DF200R12W1H3B27BOMA1 Технические характеристики

номер части:	DF200R12W1H3B27BOMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	2 Independent
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	30 A
мощность - макс.:	375 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.3V @ 15V, 30A
ток - отсечка коллектора (макс.):	1 mA
входная емкость (cis) @ vce:	2 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$54.61750	$54.6175
24	$54.61750	$1310.82

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015