DD1200S12H4HOSA1 | IR (Infineon Technologies) DD1200S12H4HOSA1 | DD1200S12H4HOSA1 Inventory, Best Pricing

DD1200S12H4HOSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	DD1200S12H4HOSA1
LIXINC Part #	DD1200S12H4HOSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE 1200V 1200A
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DD1200S12H4HOSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DD1200S12H4HOSA1 Технические характеристики

номер части:	DD1200S12H4HOSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	2 Independent
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	1200 A
мощность - макс.:	1200000 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.35V @ 15V, 1200A
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
входная емкость (cis) @ vce:	-
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$811.79500	$811.795
2	$737.99709	$1475.99418

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015