IPG20N10S4L22ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPG20N10S4L22ATMA1 | IPG20N10S4L22ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPG20N10S4L22ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPG20N10S4L22ATMA1
LIXINC Part #	IPG20N10S4L22ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 8TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPG20N10S4L22ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPG20N10S4L22ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPG20N10S4L22ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	100V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	20A
rds on (max) @ id, vgs:	22mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 25µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	27nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1755pF @ 25V
мощность - макс.:	60W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-4

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015