VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor VT6M1T2CR | VT6M1T2CR Inventory, Best Pricing

VT6M1T2CR

Увеличить

Только для справки

номер части	VT6M1T2CR
LIXINC Part #	VT6M1T2CR
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	VT6M1T2CR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

VT6M1T2CR Технические характеристики

номер части:	VT6M1T2CR
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N and P-Channel
Фет-функция:	Logic Level Gate, 1.2V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	20V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	100mA
rds on (max) @ id, vgs:	3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	7.1pF @ 10V
мощность - макс.:	120mW
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-SMD, Flat Leads
пакет устройств поставщика:	VMT6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015