FDMD8900 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMD8900

FDMD8900

Увеличить

Только для справки

номер части	FDMD8900
LIXINC Part #	FDMD8900
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDMD8900 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDMD8900 Технические характеристики

номер части:	FDMD8900
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	19A, 17A
rds on (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	35nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2605pF @ 15V
мощность - макс.:	2.1W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	12-PowerWDFN
пакет устройств поставщика:	12-Power3.3x5

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.96852	$0.96852
3000	$0.96852	$2905.56

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015