QS8M12TCR | ROHM Semiconductor QS8M12TCR | QS8M12TCR Inventory, Best Pricing

QS8M12TCR

Увеличить

Только для справки

номер части	QS8M12TCR
LIXINC Part #	QS8M12TCR
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	QS8M12TCR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

QS8M12TCR Технические характеристики

номер части:	QS8M12TCR
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N and P-Channel
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4A
rds on (max) @ id, vgs:	42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	3.4nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	250pF @ 10V
мощность - макс.:	1.5W
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SMD, Flat Lead
пакет устройств поставщика:	TSMT8

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.34293	$0.34293
3000	$0.33150	$994.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015