NSB8MTHE3_A/P | Vishay General Semiconductor – Diodes Division NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Увеличить

Только для справки

номер части	NSB8MTHE3_A/P
LIXINC Part #	NSB8MTHE3_A/P
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › диоды - выпрямители - одиночные
Описание	DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NSB8MTHE3_A/P След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NSB8MTHE3_A/P Технические характеристики

номер части:	NSB8MTHE3_A/P
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - выпрямители - одиночные
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип диода:	Standard
напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):	1000 V
ток - средний выпрямленный (io):	8A
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	1.1 V @ 8 A
скорость:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
время обратного восстановления (trr):	-
ток - обратная утечка @ vr:	10 µA @ 1000 V
емкость при vr, ф:	55pF @ 4V, 1MHz
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	TO-263AB
рабочая температура - соединение:	-55°C ~ 150°C

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.70140	$0.7014
1000	$0.70140	$701.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015