S3MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division S3MHE3_A/I

S3MHE3_A/I

Увеличить

Только для справки

номер части	S3MHE3_A/I
LIXINC Part #	S3MHE3_A/I
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › диоды - выпрямители - одиночные
Описание	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	S3MHE3_A/I След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

S3MHE3_A/I Технические характеристики

номер части:	S3MHE3_A/I
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - выпрямители - одиночные
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип диода:	Standard
напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):	1000 V
ток - средний выпрямленный (io):	3A
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	1.15 V @ 2.5 A
скорость:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
время обратного восстановления (trr):	2.5 µs
ток - обратная утечка @ vr:	10 µA @ 1000 V
емкость при vr, ф:	60pF @ 4V, 1MHz
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	DO-214AB, SMC
пакет устройств поставщика:	DO-214AB (SMC)
рабочая температура - соединение:	-55°C ~ 150°C

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015