VS-10ETF12-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-10ETF12-M3

VS-10ETF12-M3

Увеличить

Только для справки

номер части	VS-10ETF12-M3
LIXINC Part #	VS-10ETF12-M3
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › диоды - выпрямители - одиночные
Описание	DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	VS-10ETF12-M3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

VS-10ETF12-M3 Технические характеристики

номер части:	VS-10ETF12-M3
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - выпрямители - одиночные
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип диода:	Standard
напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):	1200 V
ток - средний выпрямленный (io):	10A
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	1.33 V @ 10 A
скорость:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
время обратного восстановления (trr):	310 ns
ток - обратная утечка @ vr:	100 µA @ 1200 V
емкость при vr, ф:	-
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-2
пакет устройств поставщика:	TO-220AC
рабочая температура - соединение:	-40°C ~ 150°C

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015