STGWT60H65DFB | STMicroelectronics STGWT60H65DFB | STGWT60H65DFB Inventory, Best Pricing

STGWT60H65DFB

Увеличить

Только для справки

номер части	STGWT60H65DFB
LIXINC Part #	STGWT60H65DFB
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STGWT60H65DFB След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STGWT60H65DFB Технические характеристики

номер части:	STGWT60H65DFB
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	80 A
ток - коллектор импульсный (icm):	240 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 60A
мощность - макс.:	375 W
переключение энергии:	1.09mJ (on), 626µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	306 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	51ns/160ns
условия испытаний:	400V, 60A, 5Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	60 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3
пакет устройств поставщика:	TO-3P

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015