FGL60N100BNTD | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGL60N100BNTD

FGL60N100BNTD

Увеличить

Только для справки

номер части	FGL60N100BNTD
LIXINC Part #	FGL60N100BNTD
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1000V 60A 180W TO264
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FGL60N100BNTD След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FGL60N100BNTD Технические характеристики

номер части:	FGL60N100BNTD
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Not For New Designs
тип IGBT:	NPT and Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1000 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	60 A
ток - коллектор импульсный (icm):	120 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 60A
мощность - макс.:	180 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	275 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	140ns/630ns
условия испытаний:	600V, 60A, 51Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	1.2 µs
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-264-3, TO-264AA
пакет устройств поставщика:	TO-264-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015