STGWA25H120DF2 | STMicroelectronics STGWA25H120DF2 | STGWA25H120DF2 Inventory, Best Pricing

STGWA25H120DF2

Увеличить

Только для справки

номер части	STGWA25H120DF2
LIXINC Part #	STGWA25H120DF2
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STGWA25H120DF2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STGWA25H120DF2 Технические характеристики

номер части:	STGWA25H120DF2
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
ток - коллектор импульсный (icm):	100 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.6V @ 15V, 25A
мощность - макс.:	375 W
переключение энергии:	600µJ (on), 700µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	100 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	29ns/130ns
условия испытаний:	600V, 25A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	303 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015