NGTB30N120FL2WG | Rochester Electronics NGTB30N120FL2WG | NGTB30N120FL2WG Inventory, Best Pricing

NGTB30N120FL2WG

Увеличить

Только для справки

номер части	NGTB30N120FL2WG
LIXINC Part #	NGTB30N120FL2WG
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NGTB30N120FL2WG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NGTB30N120FL2WG Технические характеристики

номер части:	NGTB30N120FL2WG
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1.2 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	60 A
ток - коллектор импульсный (icm):	120 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 30A
мощность - макс.:	452 W
переключение энергии:	2.6mJ (on), 700µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	220 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	98ns/210ns
условия испытаний:	600V, 30A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	240 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015