FGB7N60UNDF | Rochester Electronics FGB7N60UNDF | FGB7N60UNDF Inventory, Best Pricing

FGB7N60UNDF

Увеличить

Только для справки

номер части	FGB7N60UNDF
LIXINC Part #	FGB7N60UNDF
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FGB7N60UNDF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FGB7N60UNDF Технические характеристики

номер части:	FGB7N60UNDF
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	14 A
ток - коллектор импульсный (icm):	21 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 7A
мощность - макс.:	83 W
переключение энергии:	99µJ (on), 104µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	18 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	5.9ns/32.3ns
условия испытаний:	400V, 7A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	32.3 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	TO-263AB (D²PAK)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.03000	$1.03
800	$1.03000	$824

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015