FGA50N100BNTD2 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA50N100BNTD2

FGA50N100BNTD2

Увеличить

Только для справки

номер части	FGA50N100BNTD2
LIXINC Part #	FGA50N100BNTD2
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FGA50N100BNTD2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FGA50N100BNTD2 Технические характеристики

номер части:	FGA50N100BNTD2
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Last Time Buy
тип IGBT:	NPT and Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1000 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
ток - коллектор импульсный (icm):	200 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 60A
мощность - макс.:	156 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	257 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	34ns/243ns
условия испытаний:	600V, 60A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	75 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3
пакет устройств поставщика:	TO-3P

SGB10N60AATMA1	IGBT, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N	6800 Подробнее о заказе
STGD3NB60FT4	IGBT 600V 6A 60W DPAK	948 Подробнее о заказе
RGS80TSX2HRC11	1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT	1123 Подробнее о заказе
IKU04N60R	IGBT, 8A, 600V, N-CHANNEL	2361 Подробнее о заказе
AOK60B65M3	IGBT 650V 60A TO247	863 Подробнее о заказе
IRG4PC30WPBF	IRG4PC30W - IGBT	1586 Подробнее о заказе
NGTB40N65FL2WG	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	4095 Подробнее о заказе
IXBF20N300	IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4	3757 Подробнее о заказе
IXA20I1200PB	IGBT 1200V 33A 130W TO220	966 Подробнее о заказе
IRGB4059DPBF	IGBT, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-	1570 Подробнее о заказе
IHW20N120R3FKSA1	IGBT, 40A, 1200V, N-CHANNEL	1113 Подробнее о заказе
IKW03N120H2FKSA1	DISCRETE IGBT WITH DIODE	4348 Подробнее о заказе
IXYH30N65C3	IGBT 650V 60A 270W TO247AD	833 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$7.29000	$7.29
10	$6.60733	$66.0733

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015