IKW75N65ES5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKW75N65ES5XKSA1 | IKW75N65ES5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKW75N65ES5XKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IKW75N65ES5XKSA1
LIXINC Part #	IKW75N65ES5XKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IKW75N65ES5XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IKW75N65ES5XKSA1 Технические характеристики

номер части:	IKW75N65ES5XKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	TrenchStop™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	80 A
ток - коллектор импульсный (icm):	300 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.75V @ 15V, 75A
мощность - макс.:	395 W
переключение энергии:	2.4mJ (on), 950µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	164 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	40ns/144ns
условия испытаний:	400V, 75A, 18Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	85 ns
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015