FGA50N100BNTDTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA50N100BNTDTU

FGA50N100BNTDTU

Увеличить

Только для справки

номер части	FGA50N100BNTDTU
LIXINC Part #	FGA50N100BNTDTU
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FGA50N100BNTDTU След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FGA50N100BNTDTU Технические характеристики

номер части:	FGA50N100BNTDTU
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Last Time Buy
тип IGBT:	NPT and Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1000 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
ток - коллектор импульсный (icm):	100 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 60A
мощность - макс.:	156 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	275 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-
условия испытаний:	-
время обратного восстановления (trr):	1.5 µs
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3
пакет устройств поставщика:	TO-3P

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015