IPD65R660CFDBTMA1 | Rochester Electronics IPD65R660CFDBTMA1 | IPD65R660CFDBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD65R660CFDBTMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD65R660CFDBTMA1
LIXINC Part #	IPD65R660CFDBTMA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD65R660CFDBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD65R660CFDBTMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD65R660CFDBTMA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	CoolMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	615 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	62.5W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSL211SPH6327XTSA1	MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6	4098 Подробнее о заказе
DMG2301LK-13	MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23	841 Подробнее о заказе
CSD17585F5	MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR	4400 Подробнее о заказе
IAUZ40N10S5N130ATMA1	MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33	4922 Подробнее о заказе
FDP42AN15A0	MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3	2353 Подробнее о заказе
SPW24N60C3FKSA1	MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3	1134 Подробнее о заказе
2SK3557-6-TB-EX	N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET	33954 Подробнее о заказе
DMP3050LVT-7	MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26	5728 Подробнее о заказе
STP3NK60ZFP	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP	870 Подробнее о заказе
SIHU4N80AE-GE3	MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK	3885 Подробнее о заказе
IRFU4105ZPBF-IR	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	16174 Подробнее о заказе
NTMFS5834NLT1G	MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN	55703 Подробнее о заказе
APT84M50L	MOSFET N-CH 500V 84A TO264	973 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.58000	$0.58
2500	$0.58000	$1450

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015