Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IRF5802TRPBF

IRF5802TRPBF
Увеличить

Только для справки

номер части IRF5802TRPBF
LIXINC Part # IRF5802TRPBF
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IRF5802TRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF5802TRPBF Технические характеристики

номер части:IRF5802TRPBF
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:HEXFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:900mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 540mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:5.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:6.8 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:88 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:Micro6™(TSOP-6)
упаковка / чехол:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IRF5802TRPBF Документы

if IRF5802TRPBF PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRF7483MTRPBF IRF7483MTRPBF MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET 27043

Подробнее о заказе
RS1E280BNTB RS1E280BNTB MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP 1006

Подробнее о заказе
FQP6N80 FQP6N80 MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3 13505

Подробнее о заказе
TPCA8062-H,LQ(CM TPCA8062-H,LQ(CM MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP 927

Подробнее о заказе
STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK 1575

Подробнее о заказе
NVMFS5C456NLAFT1G NVMFS5C456NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 87A 5DFN 881

Подробнее о заказе
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP 12953

Подробнее о заказе
IPP139N08N3G IPP139N08N3G N-CHANNEL POWER MOSFET 16571

Подробнее о заказе
STL5N80K5 STL5N80K5 MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV 911

Подробнее о заказе
IXFA180N10T2-TRL IXFA180N10T2-TRL MOSFET N-CH 100V 180A TO263 826

Подробнее о заказе
HAT2168H-EL-E HAT2168H-EL-E MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK 908

Подробнее о заказе
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 12800

Подробнее о заказе
DMPH4013SK3-13 DMPH4013SK3-13 MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R 815

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11340 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.60000$0.6
3000$0.24740$742.2
6000$0.23304$1398.24
15000$0.21868$3280.2
30000$0.20863$6258.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top