Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IRF7807TRPBF

IRF7807TRPBF
Увеличить

Только для справки

номер части IRF7807TRPBF
LIXINC Part # IRF7807TRPBF
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание IRF7807 - PLANAR <=40V
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IRF7807TRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF7807TRPBF Технические характеристики

номер части:IRF7807TRPBF
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:HEXFET®
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:8.3A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V
rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 5 V
ВГС (макс.):±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:-
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-SO
упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7807TRPBF Документы

if IRF7807TRPBF PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

YJL3401A-F2-0000HF YJL3401A-F2-0000HF P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L 912

Подробнее о заказе
FQPF4N90 FQPF4N90 MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F 1695

Подробнее о заказе
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC 4766

Подробнее о заказе
STB45N40DM2AG STB45N40DM2AG MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK 3289

Подробнее о заказе
STF17N80K5 STF17N80K5 MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP 863

Подробнее о заказе
UPA2721GR-E1-AT UPA2721GR-E1-AT N-CHANNEL POWER MOSFET 343484

Подробнее о заказе
CPC3703CTR CPC3703CTR MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3 15574

Подробнее о заказе
AON6405 AON6405 MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN 937

Подробнее о заказе
VP2206N3-G VP2206N3-G MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 1620

Подробнее о заказе
SQD07N25-350H_GE3 SQD07N25-350H_GE3 MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA 2099

Подробнее о заказе
IRFP22N60KPBF IRFP22N60KPBF MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 917

Подробнее о заказе
DIT195N08 DIT195N08 MOSFET N-CH 85V 195A TO220AB 1678

Подробнее о заказе
STB28N60DM2 STB28N60DM2 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 10701

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11770 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.38000$0.38
4000$0.38000$1520
8000$0.36309$2904.72
12000$0.35101$4212.12

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top