IPN70R360P7SATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN70R360P7SATMA1 | IPN70R360P7SATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN70R360P7SATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPN70R360P7SATMA1
LIXINC Part #	IPN70R360P7SATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPN70R360P7SATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPN70R360P7SATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPN70R360P7SATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ P7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	700 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	16.4 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	517 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	7.2W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-SOT223
упаковка / чехол:	TO-261-3

IXTA170N075T2	MOSFET N-CH 75V 170A TO263	2979 Подробнее о заказе
2N7002KT1G	MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3	943 Подробнее о заказе
SQP60N06-15_GE3	MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB	883 Подробнее о заказе
TK17A65W,S5X	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	982 Подробнее о заказе
APTM100UM45FAG	MOSFET N-CH 1000V 215A SP6	823 Подробнее о заказе
PHB66NQ03LT,118	MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK	2735 Подробнее о заказе
MMSF3P02HDR2G	MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC	3204 Подробнее о заказе
BSS314PEH6327XTSA1	MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3	21608 Подробнее о заказе
SIHU4N80E-GE3	MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK	862 Подробнее о заказе
HUFA76429D3ST	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA	39990 Подробнее о заказе
SPU21N05L	N-CHANNEL POWER MOSFET	4866 Подробнее о заказе
SI4156DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 24A 8SO	6039 Подробнее о заказе
BSO110N03MSGXUMA1	MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO	907 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015