FDN357N | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN357N

FDN357N

Увеличить

Только для справки

номер части	FDN357N
LIXINC Part #	FDN357N
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDN357N След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDN357N Технические характеристики

номер части:	FDN357N
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.9A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	5.9 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	235 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	500mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SuperSOT-3
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRF9Z34PBF	MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB	945 Подробнее о заказе
STL24N65M2	MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV	959 Подробнее о заказе
IPA057N08N3GXKSA1	MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP	1005 Подробнее о заказе
NTMD4184PFR2G	MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC	3312 Подробнее о заказе
TPH1110ENH,L1Q	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP	926 Подробнее о заказе
BSS123W	MOSFET N-CH 100V 170MA SC70	1776 Подробнее о заказе
PHB45NQ10T,118	MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK	5315 Подробнее о заказе
NTLUS4930NTBG	MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN	39888 Подробнее о заказе
IPB80N04S3H4ATMA1	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3	34965 Подробнее о заказе
IPB160N04S4H1ATMA1	MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7	977 Подробнее о заказе
IPB80N04S306ATMA1	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	857 Подробнее о заказе
CSD25481F4T	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR	980 Подробнее о заказе
FDP036N10A	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3	123516846 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015