BMS3003-1E | Rochester Electronics BMS3003-1E | BMS3003-1E Inventory, Best Pricing

BMS3003-1E

Увеличить

Только для справки

номер части	BMS3003-1E
LIXINC Part #	BMS3003-1E
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BMS3003-1E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BMS3003-1E Технические характеристики

номер части:	BMS3003-1E
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	78A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 39A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	285 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	13.2 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2W (Ta), 40W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220F-3SG
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015