FDG315N | Rochester Electronics FDG315N | FDG315N Inventory, Best Pricing

FDG315N

Увеличить

Только для справки

номер части	FDG315N
LIXINC Part #	FDG315N
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDG315N След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDG315N Технические характеристики

номер части:	FDG315N
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	4 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	220 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	750mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SC-88 (SC-70-6)
упаковка / чехол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015