BSC009NE2LS5IATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC009NE2LS5IATMA1 | BSC009NE2LS5IATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC009NE2LS5IATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC009NE2LS5IATMA1
LIXINC Part #	BSC009NE2LS5IATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC009NE2LS5IATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC009NE2LS5IATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC009NE2LS5IATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	40A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	0.95mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	49 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3200 pF @ 12 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 74W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-7
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

TK11A65W,S5X	MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS	1042 Подробнее о заказе
IPW60R125CPFKSA1	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3	819 Подробнее о заказе
NDD60N360U1-35G	MOSFET N-CH 600V 11A IPAK	33710 Подробнее о заказе
TN5335N8-G	MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA	807 Подробнее о заказе
NP80N03MLE-S18-AY	MOSFET N-CH 30V 80A TO220	1201 Подробнее о заказе
AUIRFSL8403	MOSFET N-CH 40V 123A TO262	2998 Подробнее о заказе
FQP2N80	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	3870 Подробнее о заказе
NVMFS5C404NWFAFT1G	MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN	864 Подробнее о заказе
BSS84PWH6327XTSA1	MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3	37553 Подробнее о заказе
IXTQ48N20T	MOSFET N-CH 200V 48A TO3P	987 Подробнее о заказе
DMN1019UVT-13	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26	972 Подробнее о заказе
IRF5305STRRPBF	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK	831 Подробнее о заказе
IXFA16N50P	MOSFET N-CH 500V 16A TO263	1230 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015