Только для справки
| номер части | TK3R1P04PL,RQ |
| LIXINC Part # | TK3R1P04PL,RQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK3R1P04PL,RQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK3R1P04PL,RQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSIX-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 58A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3.1mOhm @ 29A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.4V @ 500µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 60 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4670 pF @ 20 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 87W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 175°C |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DPAK |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| STB80NF55-06T4 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 866 Подробнее о заказе |
|
| FDS6692A | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC | 3343 Подробнее о заказе |
|
| TPH6400ENH,L1Q | MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP | 7759 Подробнее о заказе |
|
| IRFH8321TRPBF | IRFH8321 - HEXFET POWER MOSFET | 4847 Подробнее о заказе |
|
| AOSP21313C | MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC | 6845 Подробнее о заказе |
|
| SCT10N120AG | SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 | 1535 Подробнее о заказе |
|
| SCT3120ALHRC11 | SICFET N-CH 650V 21A TO247N | 1233 Подробнее о заказе |
|
| SQD97N06-6M3L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA | 4748 Подробнее о заказе |
|
| BSC084P03NS3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON | 10908 Подробнее о заказе |
|
| IRF9530NSTRLPBF | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK | 905 Подробнее о заказе |
|
| IAUT240N08S5N019ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF | 1130 Подробнее о заказе |
|
| IXFA50N20X3 | MOSFET N-CH 200V 50A TO263 | 1934 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1165-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1234 Подробнее о заказе |
| В наличии | 13353 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.10000 | $1.1 |
| 2500 | $0.55789 | $1394.725 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.