Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT
Увеличить

Только для справки

номер части FDFME2P823ZT
LIXINC Part # FDFME2P823ZT
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание 2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDFME2P823ZT След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDFME2P823ZT Технические характеристики

номер части:FDFME2P823ZT
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.6A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:142mOhm @ 2.3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7.7 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:405 pF @ 10 V
Фет-функция:Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):1.4W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:6-MicroFET (1.6x1.6)
упаковка / чехол:6-UFDFN Exposed Pad

FDFME2P823ZT Документы

if FDFME2P823ZT PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 1046

Подробнее о заказе
NTD4906N-35G NTD4906N-35G MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK 689582

Подробнее о заказе
BUK762R6-40E,118 BUK762R6-40E,118 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 5596

Подробнее о заказе
STD47N10F7AG STD47N10F7AG MOSFET N-CH 100V 45A DPAK 937

Подробнее о заказе
NTD24N06T4G NTD24N06T4G MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 998

Подробнее о заказе
SUD08P06-155L-BE3 SUD08P06-155L-BE3 MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK 2823

Подробнее о заказе
CPH3457-TL-H CPH3457-TL-H MOSFET N-CH 30V 3A 3CPH 27809

Подробнее о заказе
TK8A45D(STA4,Q,M) TK8A45D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS 959

Подробнее о заказе
YJL2101W-F2-0000HF YJL2101W-F2-0000HF P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323 967

Подробнее о заказе
FDS3682 FDS3682 MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC 4929

Подробнее о заказе
APT20M11JFLL APT20M11JFLL MOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP 815

Подробнее о заказе
AON6796 AON6796 MOSFET N-CH 30V 32A/70A 8DFN 808

Подробнее о заказе
DMP3015LSS-13 DMP3015LSS-13 MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP 2147484520

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 40917 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.27000$0.27

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top