Только для справки
| номер части | FDG313N |
| LIXINC Part # | FDG313N |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | 0.95A, 25V, N-CHANNEL, MOSFET |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDG313N След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDG313N |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | - |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 25 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 950mA (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 2.7V, 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 450mOhm @ 500mA, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 2.3 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±8V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 50 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 750mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SC-88 (SC-70-6) |
| упаковка / чехол: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| DMG4466SSSL-13 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | 55848 Подробнее о заказе |
|
| NTMS4N01R2 | MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC | 18021 Подробнее о заказе |
|
| STP14NF10 | MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB | 4505 Подробнее о заказе |
|
| SIHFPS37N50A-GE3 | POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @ | 867 Подробнее о заказе |
|
| PMT200EPEA115 | P-CHANNEL MOSFET | 205876 Подробнее о заказе |
|
| DMS3015SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | 533437 Подробнее о заказе |
|
| PMV28UN,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 17529 Подробнее о заказе |
|
| SPP80N06S2L-09 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | 993 Подробнее о заказе |
|
| IPD60R210PFD7SAUMA1 | MOSFET N-CH 650V 16A TO252-3 | 3165 Подробнее о заказе |
|
| IPZA60R045P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3 | 915 Подробнее о заказе |
|
| NTD4N60T4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 25956 Подробнее о заказе |
|
| RFD16N05SM | MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA | 11743 Подробнее о заказе |
|
| IPB090N06N3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 849 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10918 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.27000 | $0.27 |
| 3000 | $ 0.25217 | $756.51 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.