BSC009NE2LSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC009NE2LSATMA1 | BSC009NE2LSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC009NE2LSATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC009NE2LSATMA1
LIXINC Part #	BSC009NE2LSATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC009NE2LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC009NE2LSATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC009NE2LSATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	41A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	0.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	126 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5800 pF @ 12 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-7
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

PMCM650VNE	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	919 Подробнее о заказе
IPB022N04LG	N-CHANNEL POWER MOSFET	2766 Подробнее о заказе
NVF3055L108T3G	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223	3538 Подробнее о заказе
BS170	MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3	937 Подробнее о заказе
SI4434DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO	5180 Подробнее о заказе
STB36NM60ND	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK	1804 Подробнее о заказе
STB18N60DM2	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK	1285 Подробнее о заказе
IRFBC40LCPBF	MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB	1672 Подробнее о заказе
BSL373SNH6327XTSA1	MOSFET N-CH 100V 2A TSOP6-6	12917 Подробнее о заказе
IXTK150N15P	MOSFET N-CH 150V 150A TO264	3620 Подробнее о заказе
R6003KND3TL1	MOSFET N-CH 600V 3A TO252	3324 Подробнее о заказе
IRF624PBF-BE3	MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB	1951 Подробнее о заказе
BSL606SNH6327XTSA1	MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6	26859 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015