Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPN70R600P7SATMA1

IPN70R600P7SATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPN70R600P7SATMA1
LIXINC Part # IPN70R600P7SATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPN70R600P7SATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPN70R600P7SATMA1 Технические характеристики

номер части:IPN70R600P7SATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):700 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:8.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:364 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6.9W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223
упаковка / чехол:TO-261-3

IPN70R600P7SATMA1 Документы

if IPN70R600P7SATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

MTB3N60E MTB3N60E N-CHANNEL POWER MOSFET 908

Подробнее о заказе
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 79516

Подробнее о заказе
STD11N60M2-EP STD11N60M2-EP MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK 14512

Подробнее о заказе
FDC606P FDC606P MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 65670

Подробнее о заказе
PSMN8R0-30YLC115 PSMN8R0-30YLC115 N-CHANNEL POWER MOSFET 3740

Подробнее о заказе
CMSN3416K-HF CMSN3416K-HF MOSFET N-CH 20V 7A SOT23 907

Подробнее о заказе
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 915

Подробнее о заказе
STS10P4LLF6 STS10P4LLF6 MOSFET P-CH 40V 10A 8SO 1489

Подробнее о заказе
IPP65R190CFD7AAKSA1 IPP65R190CFD7AAKSA1 MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3 833

Подробнее о заказе
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 23374

Подробнее о заказе
APT20M20JLL APT20M20JLL MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP 955

Подробнее о заказе
NTE491T NTE491T MOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237 1644

Подробнее о заказе
AOD458 AOD458 MOSFET N CH 250V 14A TO252 924

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12239 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.82000$0.82
3000$0.32913$987.39
6000$0.30643$1838.58
15000$0.29508$4426.2
30000$0.28889$8666.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top