NTLJS3113PT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLJS3113PT1G

NTLJS3113PT1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NTLJS3113PT1G
LIXINC Part #	NTLJS3113PT1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTLJS3113PT1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTLJS3113PT1G Технические характеристики

номер части:	NTLJS3113PT1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	µCool™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	15.7 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1329 pF @ 16 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	700mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-WDFN (2x2)
упаковка / чехол:	6-WDFN Exposed Pad

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015