Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N06S2L09ATMA2
LIXINC Part # IPB80N06S2L09ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N06S2L09ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S2L09ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB80N06S2L09ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 125µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:105 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2620 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):190W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S2L09ATMA2 Документы

if IPB80N06S2L09ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SI3400A-TP SI3400A-TP MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 970

Подробнее о заказе
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK 982

Подробнее о заказе
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN 901

Подробнее о заказе
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN 862

Подробнее о заказе
2SK1400A-E 2SK1400A-E N-CHANNEL POWER MOSFET 1145

Подробнее о заказе
SPB80N03S2L-05 SPB80N03S2L-05 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 136610

Подробнее о заказе
DMN3026LVTQ-7 DMN3026LVTQ-7 MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 27813

Подробнее о заказе
TSM2N60SCW RPG TSM2N60SCW RPG MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223 1331

Подробнее о заказе
AUIRFR5505 AUIRFR5505 PFET, 18A I(D), 55V, 0.11OHM, 1O 11664

Подробнее о заказе
BUK7Y102-100B,115 BUK7Y102-100B,115 MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK56 954

Подробнее о заказе
AOTS21115C AOTS21115C MOSFET P-CH 20V 6.6A 6TSOP 3448

Подробнее о заказе
MSC090SMA070S MSC090SMA070S SICFET N-CH 700V D3PAK 1058

Подробнее о заказе
STD2NK60Z-1 STD2NK60Z-1 MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK 975

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10979 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.12228$1.12228
1000$0.91332$913.32

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top