SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIR403EDP-T1-GE3 | SIR403EDP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIR403EDP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIR403EDP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIR403EDP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIR403EDP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIR403EDP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIR403EDP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.8V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	153 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±25V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4620 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	5W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

MCAC50N10Y-TP	MOSFET N-CH 100V 50A DFN5060	30850 Подробнее о заказе
AOTF7S65	MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3F	970 Подробнее о заказе
BUK7230-55A/C1118	N-CHANNEL POWER MOSFET	15836 Подробнее о заказе
2N6806	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P	868 Подробнее о заказе
IRFH8325TRPBF	MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN	4956 Подробнее о заказе
UPA2709AGR-E1-AT	MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP	5835 Подробнее о заказе
BUK9Y41-80E,115	MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56	831 Подробнее о заказе
IPAW60R600CEXKSA1	MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220	1220 Подробнее о заказе
MTP5N40E	N-CHANNEL POWER MOSFET	8279 Подробнее о заказе
TBB1010KMTL-H	RF N-CHANNEL MOSFET	48856 Подробнее о заказе
IRF634STRRPBF	MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK	1025 Подробнее о заказе
FQPF9N50CT	MOSFET N-CH 500V 9A TO220F	635858 Подробнее о заказе
NTMS4916NR2G	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	3312 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.40040	$0.4004
3000	$0.40040	$1201.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015